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2，触点的绘制位置。使触点动作的外力方向必须是：当图形垂直放置时为从左到右，即垂线左侧的触点为常触点，垂线右侧的触点为常闭触点，当图形水平放置时为从下到上，即水平线下　　方的触点为常触点，水平线上方的触点为常闭触点。

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进一步地，所述坩埚3为钨坩埚、焊接钼坩埚或者烧结钼坩埚。优选的是钨坩埚，因为钨的熔点高于钼的熔点，不容易高温挥发出来与氧气发生反应；目前常用的是烧结钼坩埚，但焊接钼坩埚的性能优于烧结钼坩埚，同样厚度的焊接钼坩埚和烧结钼坩埚耐受的使用温度和使用时间长短是一样的，有的甚远远高于烧结坩埚的使用时间。这是因为烧结的密度再高，也比不上经过多次轧制的钼板所有的致密度，因此焊接钼坩埚中的钼更加不容易挥发，进而与氧气反应产生MoO2。单晶炉，全自动直拉单晶生长炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。比如120、150等型号是由投料量决定，85炉则是指主炉筒的直径大小。单晶硅炉的主体构成由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。单晶硅片工艺流程硅，Si，地球上含硅的东西很多，好像90%以上都是晶硅的，也是单晶硅。太阳能级别的硅纯度6N以上可以了。始是石头，（石头都含硅），把石头加热，变成液态，再加热变成气态，把气体通过一个密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住，气体通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢变粗了，因为是气体变固体，所以很慢，一个月左右，箱子里有了很多长长的原生多晶硅。